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RSU12N65F
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 超结MOS，LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RSU12N65F
- 商品编号
- C5371970
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.887克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 420mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- TO-220F封装下具备更佳的导通电阻(RDS(on))
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 具备周期性雪崩额定值
- 超低有效电容
应用领域
- 开关模式电源(SMPS)
- 不间断电源(UPS)
- 服务器和电信设备的功率因数校正(PFC)级
- 消费类产品