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RS4N80F
1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
- 描述
- 超高压MOS，高抗雷击LED驱动，适配器，工业电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RS4N80F
- 商品编号
- C5371964
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9951克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.2Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 527pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(1个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/管
总价金额：
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