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RSU4N65D
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
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- 描述
- 超结MOS，LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源
- 品牌名称
- REASUNOS(瑞森半导体)
- 商品型号
- RSU4N65D
- 商品编号
- C5371938
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.464克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 880mΩ@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@520V | |
| 输入电容(Ciss) | 284pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CMP4668采用先进的工艺技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
商品特性
- 更低的导通电阻
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 直流-交流转换器-电机控制-不间断电源(UPS)