温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SS6209L-SO-TP

8.0A 内置MOS半桥电机驱动芯片

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。
品牌名称: LEADPOWER(率能)
商品型号: SS6209L-SO-TP
商品编号: C5370900
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.332克(g)

商品参数

商品概述

SS6209将半桥MOSFET驱动器（高边 + 低边）集成到SOP8的封装中。与分立元件解决方案相比，集成解决方案大大减少了分立方案的寄生效应和板空间问题。驱动器和MOSFET已针对半桥应用进行了优化。高侧或低侧MOSFET栅极的驱动电压可以工作在宽电压范围内，并且获得最佳效率。内部自适应死区电路通过防止两个MOSFET同时导通，进一步降低了开关损耗。当VCC低于规定的阈值电压时，UVLO电路工作，可有效防止芯片的误动作。设计中的EN引脚可以使芯片进入低静态电流状态，并获得较长的电池寿命。

商品特性

最大额定持续电流4A，峰值8A
自举式高端驱动器
集成高/低侧MOSFET
高频操作（最高1MHz）
PWM输入兼容3.3V和5V
内部自举二极管
欠电压锁定
热保护关断
自适应防串通保护

应用领域

电子烟
无线充
半桥应用

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；半桥；高边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	1
	工作电压	3.3V~5.5V

	属性	参数值
	特性	欠压保护(UVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-30℃~+85℃
	输入高电平(VIH)	1.2V
	输入低电平(VIL)	1V
	静态电流(Iq)	20uA