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SKG100N12T
1个N沟道 耐压:120V 电流:100A
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- 描述
- 表面贴装封装；极低阈值电压；先进沟槽单元设计
- 品牌名称
- SHIKUES(时科)
- 商品型号
- SKG100N12T
- 商品编号
- C5366326
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AGM3005A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 漏源击穿电压(BVDSS) ≥ 120 V
- 漏极电流(ID) = 100 A
- 栅源电压(VGS) = 10 V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 5.6 mΩ
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(ON)) ≤ 8 mΩ
应用领域
-便携式电器-电池管理-高速开关-低功耗直流-直流转换器