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SUM110P06-08L-E3
停产 1个P沟道 耐压:60V 电流:110A
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- 描述
- 特性：快速开关。 低栅极电荷和导通电阻。 低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：功率开关应用。 硬开关和高频电路
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- SUM110P06-08L-E3
- 商品编号
- C5364638
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 10.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 840pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：最小值60V，漏极电流（ID）：最大值50A。
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）=10V、漏极电流（ID）=20A时，最大值为17mΩ。
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）=4.5V、漏极电流（ID）=20A时，最大值为23mΩ。
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 对雪崩电压和电流进行了全面表征
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