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IRFBG30PBF
耐压:1000V 电流:4A
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- 描述
- 高压MOS 1000V4A 内阻4.5欧姆
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- IRFBG30PBF
- 商品编号
- C5364639
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.95克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 最大漏源电压（VDS）：30V
- 最大栅源电压（Vgs）：±12V
- 最大导通电阻（RDS(on)）：29 mΩ（栅源电压Vgs = 4.5 V时）
- 最大导通电阻（RDS(on)）：37 mΩ（栅源电压VGS = 2.5 V时）