3SK294(TE85L,F)

ES35N06A是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通态漏源电阻（RDS(ON)）。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ES35N06A为无铅产品。

• 60V，栅源电压（VGS） = 10V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 26mΩ（典型值）
• 栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通态漏源电阻（RDS(ON)） = 33mΩ（典型值）
• 高密度单元设计，实现低导通态漏源电阻（RDS(on)）
• 材料：无卤
• 可靠耐用
• 雪崩额定
• 低泄漏电流

-PWM应用-负载开关-便携式/台式PC电源管理-DC/DC转换