2SB1197KR
2SB1197KR AHR
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- 描述
- 特性:低集电极发射极饱和电压(VCE(sat)):VCE(sat) < -0.5V / (IC / IB = -0.5A / -50mA)。 集电极电流(IC):-0.8A。 与2SD1781互补
- 品牌名称
- CBI(创基)
- 商品型号
- 2SB1197KR
- 商品编号
- C5362088
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 800mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 32V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 390@100mA,3V | |
| 特征频率(fT) | 200MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@500mA,50mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 配置 | 独立式 |
