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AP6NA3R2MT
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AP6NA3R2系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。PMPAK 5x6封装专为DC-DC转换器应用而设计，其引脚布局与带背面散热片且外形更低的SO-8兼容
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP6NA3R2MT
- 商品编号
- C5361845
- 商品封装
- PMPAK-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 112A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 69.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 99.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP8N8R0系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。 TO - 252封装在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用。
商品特性
- 100%进行Rg和UIS测试
- 驱动要求简单
- 导通电阻更低
- 符合RoHS标准且无卤