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AP8N8R0H
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AAPP486N084R系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极为有效的器件，可广泛应用于各类功率应用场景。TO - 252封装广泛适用于所有商业 - 工业表面贴装和薄型封装应用
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP8N8R0H
- 商品编号
- C5361848
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.92nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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