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TPM9665D6
1个P沟道 耐压:17V 电流:6.8A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM9665D6
- 商品编号
- C587157
- 商品封装
- UDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 17V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 684pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 108pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS):-17V
- 漏极电流(ID):-6.8A
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -4.5V 时):<35mΩ
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -2.5V 时):<45mΩ
- 导通电阻(RDS(ON))(栅源电压(VGS) = -1.8V 时):<72mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换