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STGW30NC120HD
N沟道，1200V、30A、TO-247封装功率IGBT
- 描述
- 采用基于其专利条形布局的最新高压技术，设计了一系列先进的 IGBT，性能卓越。后缀 “H” 标识的系列针对高频应用进行了优化，以在保持低电压降的同时实现极高的开关性能（缩短下降时间 tfall）。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW30NC120HD
- 商品编号
- C5357396
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.558克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 220W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 135A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.75V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@20A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 25pF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 175pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 30pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 29ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 275ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.66mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 4.438mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 152ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
采用基于专利条形布局的高压技术设计的IGBT系列，后缀“H”标识为高频应用优化的系列，以实现高开关性能（降低tfall），同时保持低电压降。
商品特性
- 低损耗
- 低导通压降（V_cesat）
- 高电流能力
- 高输入阻抗（电压驱动）
- 低栅极电荷
- 适用于软开关应用
- 采用TO-247封装
应用领域
- 感应加热