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STF9NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:6.5A
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- 描述
- 这些器件是采用第二代MDmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET。这些具有创新性的功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它们适用于要求最为苛刻的高效转换器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF9NM60N
- 商品编号
- C5356985
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.59克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 745mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 452pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款高压 N 沟道功率 MOSFET 是 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列的一部分。它具有极低的恢复电荷（Qrr）和恢复时间（trr），同时导通电阻（RDS(on)）较低，适用于要求极高的高效转换器，是桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器的理想选择。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
-开关应用
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