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ASDM30P30BE-R
P沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关。 有环保器件可供选择。应用：MB/VGA/Vcore。 POE应用
- 品牌名称
- ASDsemi(安森德)
- 商品型号
- ASDM30P30BE-R
- 商品编号
- C5354035
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.757nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 315pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低栅极电荷（典型值 12nC）
- 低 Crss（典型值 5.5pF）
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 开关应用