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NTA7002NT1G
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 易于设计驱动电路。 易于并联。应用：接口。 开关
- 品牌名称
- Leiditech(雷卯电子)
- 商品型号
- NTA7002NT1G
- 商品编号
- C5349369
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V,150mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM312ME将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
应用领域
- MB/VGA内核电压-开关电源二次侧同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
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