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EG1416

低侧单通道驱动芯片

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描述: 低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。
品牌名称: EG(屹晶微)
商品型号: EG1416
商品编号: C5346625
商品封装: SOT23-5
包装方式: 编带
商品毛重: 0.055167克(g)

商品参数

商品概述

EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。当VCC = 12V时，可提供峰值为2A的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力；采用SOT23 - 5封装。

商品特性

VCC电压范围4V - 20V
输出电流能力10±1 - 2A/2A
输入输出延时短
当输入引脚悬空时，输出保持在低电平
外围器件少
静态电流小于1uA，非常适合电池场合
封装形式：SOT23 - 5
无铅绿色环保，符合ROHS报告

应用领域

开关模式电源直流 - 直流转换器数字电源栅极驱动器件
太阳能、不间断电源驱动变压器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	1
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2A

	属性	参数值
	工作电压	4V~20V
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	20ns
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入低电平(VIL)	-300mV~1V
	静态电流(Iq)	1uA