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YJQ23GP06A
P沟道增强型场效应晶体管
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。低导通电阻RDS(ON)和品质因数FOM。低反向传输电容Crss。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。湿度敏感度等级3。环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。无卤
- 品牌名称
- YANGJIE(扬杰)
- 商品型号
- YJQ23GP06A
- 商品编号
- C5339826
- 商品封装
- DFN3333-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V；35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 43W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V；18.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
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