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VND7NV04-E

1个N沟道耐压:40V

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: VND7NV04-E
商品编号: C5339302
商品封装: TO-252-3
包装方式: 编带
商品毛重: 0.51克(g)

商品参数

商品概述

VNN7NV04、VNS7NV04、VND7NV04 和 VND7NV04-1 是采用意法半导体 VIPower M0-3 技术设计的单片器件，旨在替代从直流到50 kHz应用中的标准功率：POWER MOSFETs。内置热关断、线性电流限制和过电压箝位保护芯片在严苛环境下的安全。故障反馈可以通过监测输入引脚上的电压来检测。

商品特性

线性电流限制
热关断
短路保护
集成箝位
从输入引脚吸取的电流低
通过输入引脚进行诊断反馈
ESD保护
直接访问功率MOSFET的栅极（模拟驱动）
与符合2002/95/EC欧洲指令的标准功率MOSFET兼容

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	40V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	60W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	配置	-