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VND7NV04-E
1个N沟道 耐压:40V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- VND7NV04-E
- 商品编号
- C5339302
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
- 分裂栅沟槽MOSFET技术
- 低导通电阻RDS(on)和品质因数FOM
- 低反向传输电容Crss
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和均匀性
- 潮湿敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无卤
商品特性
- 线性电流限制
- 热关断
- 短路保护
- 集成钳位
- 输入引脚电流消耗低
- 通过输入引脚进行诊断反馈
- ESD 保护
- 直接连接功率 MOSFET 的栅极(模拟驱动)
- 符合 2002/95/EC 欧洲指令,与标准功率 MOSFET 兼容
应用领域
- DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流-工业和电机驱动应用
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