STB5N80K
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 业内最低的导通电阻与面积乘积(RDS(on) x area)
- 业内最佳的品质因数(FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用