商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@640V | |
| 输入电容(Ciss) | 177pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合RoHS标准
- RDS(ON)，典型值 = 5.4Ω@VGS = 10V
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源