温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RQ6L020SPTCR
P沟道小信号MOSFET，低导通电阻、高功率小尺寸封装、无铅镀铅、符合RoHS标准、无卤
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ6L020SPTCR
- 商品编号
- C5336601
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 低导通电阻
- 高功率小尺寸封装（TSMT6）
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 开关