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RSQ030N08HZGTR
1个N沟道 耐压:80V 电流:3A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 内置G-S保护二极管。 小型表面贴装封装（TSMT6）。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 通过AEC-Q101认证。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RSQ030N08HZGTR
- 商品编号
- C5336590
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 131mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）
- 领先的RDS(ON)可将传导产生的功率损耗降至最低
- 2.5 V额定值，可在低电压栅极驱动下工作
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 电池管理
- DC/DC转换器
- 负载开关