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NTS4001NT1G
30V,300mA,N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：30V, 300mA, RDS(ON) = 1Ω @VGS = 10V。 改善的dv/dt能力。 快速开关。 有环保器件。应用：笔记本电脑。 负载开关
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- NTS4001NT1G
- 商品编号
- C5331075
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 313W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -50A
- 栅源电压（VGS）~~- 10V 时，典型导通电阻（RDS(ON)）为 8.0mΩ
- 栅源电压（VGS）~~- 4.5V 时，典型导通电阻（RDS(ON)）为 18mΩ
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 逻辑电平转换