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DGD0504FN-7

100V半桥栅极驱动器

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描述: DGD0504是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0504的高端在自举操作中能够切换至100V。DGD0504的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DGD0504FN-7
商品编号: C5329415
商品封装: WDFN3030-10
包装方式: 编带
商品毛重: 0.03克(g)

商品参数

商品概述

DGD0504是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD0504的高端在自举操作中可切换至100V。 DGD0504逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出采用高脉冲电流缓冲器，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。DGD0504具有430ns（典型值）的固定内部死区时间。 DGD0504采用W-DFN3030-10（TH型）封装，工作温度范围扩展至-40℃至+125℃。

商品特性

自举操作中浮动高端驱动器可达100V
以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
290mA源极/600mA灌电流输出能力
输出可耐受负瞬变
430ns内部死区时间，保护MOSFET
宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
逻辑输入（IN和SD*）支持3.3V
施密特触发逻辑输入
VCC（逻辑和低端电源）欠压锁定
扩展温度范围：-40℃至+125℃
完全无铅且完全符合RoHS标准
无卤素和锑，“绿色”器件

应用领域

DC-DC转换器
DC-AC逆变器
AC-DC电源
电机控制
D类功率放大器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	600mA
	拉电流(IOH)	290mA

	属性	参数值
	工作电压	10V~20V
	上升时间(tr)	70ns
	下降时间(tf)	35ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	350uA