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DMPH6050SPD-13
1个P沟道 耐压:60V 电流:26A
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻RDS(ON)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH6050SPD-13
- 商品编号
- C5329417
- 商品封装
- PowerDI-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
AGM435E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 额定温度达 +175℃ —— 适用于高环境温度环境
- 100%非钳位电感开关 —— 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低RDS(ON)—— 最小化功率损耗
- 低Qg —— 最小化开关损耗
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
- 通过AEC-Q101高可靠性标准认证
- 另有符合汽车标准的型号(DMPH6050SPDQ),数据手册单独提供
应用领域
-发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器