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DMG7401SFG-13
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.8A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG7401SFG-13
- 商品编号
- C5328783
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.174克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 940mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.987nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 391pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 16 A、20 V。栅源电压为4.5 V时，漏源导通电阻 = 6 mΩ
- 栅源电压为2.5 V时，漏源导通电阻 = 7 mΩ
- 栅源电压为1.8 V时，漏源导通电阻 = 9 mΩ
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC/DC转换器
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