温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KGF60N65KDF-U/H
650V 120A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 场截止沟槽 IGBT 提供低开关损耗、高能效和短路耐用性。专为功率因数校正 (PFC)、逆变式 MwO、焊机、不间断电源 (UPS) 和通用转换器等应用而设计。
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KGF60N65KDF-U/H
- 商品编号
- C5300001
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.761111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 120A | |
| 耗散功率(Pd) | 340W | |
| 输出电容(Coes) | 158pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V@60A,15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.3V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@15V | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 56ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 216ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.7mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 116ns | |
| 反向传输电容(Cres) | 34pF |