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2N7002KB-RTK/HP
N沟道小信号沟槽MOSFET
- 描述
- 这款小信号沟槽 MOSFET 具有低导通电阻、低栅极电荷和静电保护特性。它主要适用于电池供电系统和直接逻辑电平接口应用。
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- 2N7002KB-RTK/HP
- 商品编号
- C5300003
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源极电压(VDSS) = 60 V,漏极电流(ID) = 0.3 A
- 漏源导通电阻:RDS(ON)(最大值) = 2.2 Ω @ 栅源电压(VGS) = 10V
- 静电放电保护:2KV
应用领域
- 电池供电系统
- 直接逻辑电平接口
- 电压控制小信号开关