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NTZD3154NT1G-MS
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- 描述
- 此款NTZD3154NT1G-MS为双N沟道增强型场效应管采用沟槽型DMOS工艺。BVSS:20V RDSON:400mR@ID:0.55A可最大限度降低导通电阻，具备优异的开关特性，并能承受雪崩与换相模式下的高能脉冲。该器件非常适用于高效率高速开关应用场景。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- NTZD3154NT1G-MS
- 商品编号
- C56132506
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033067克(g)
商品参数
参数完善中