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PTA26N65
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 82W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 先进平面工艺
- RDS(ON) 典型值 = 280 mΩ（VGS = 10 V 时）
- 低栅极电荷，可最大限度降低开关损耗
- 坚固的多晶硅栅极结构
应用领域
- 无刷直流电机驱动器
- 电焊机
- 高效开关电源