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PTW20N50A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 275W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@250V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专有新型平面技术
- RDS(ON)，典型值 = 0.24Ω（VGS = 10V时）
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器充电器-开关电源-LCD面板电源