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PSP13N50
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 195W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合RoHS标准
- RDS(ON)典型值：在VGS = 10V时为0.40Ω
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 适配器
- 充电器
- 开关电源待机电源