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PTP11N40
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - |
商品特性
- 专有新型平面技术
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)] 典型值：在栅源电压 (VGS) 为 10 V 时为 0.35 Ω
- 低栅极电荷，可最大限度降低开关损耗
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 镇流器和照明
- 直流-交流逆变器
- 其他应用
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