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DMN2400UFB4-7B
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小表面贴装封装。 超低封装高度，最大封装高度 0.4mm。 ESD 保护高达 1.5kV。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 标准，具有高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2400UFB4-7B
- 商品编号
- C575527
- 商品封装
- DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@1.8V,350mA | |
| 耗散功率(Pd) | 0.47mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 500mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 36pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 超小型表面贴装封装
- 超低封装高度，最大封装高度为0.4mm
- 静电放电（ESD）保护高达1.5kV
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 通过AEC-Q101标准认证，具备高可靠性
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