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PXN012-60QLJ
1个N沟道 耐压:60V 电流:42A
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- 描述
- 通用型、额定电流42 A、逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET，采用MLPAK33封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN012-60QLJ
- 商品编号
- C5280958
- 商品封装
- MLPAK-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 957pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CX3426S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 逻辑电平兼容性
- 沟槽MOSFET技术
- 小尺寸(占位面积3.3 mm x 3.3 mm)、热效率高的封装
应用领域
-次级侧同步整流-DC-DC转换器-电机驱动-LED照明-负载开关-辅助控制-风扇控制
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