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PXN012-60QLJ
1个N沟道 耐压:60V 电流:42A
- 描述
- 通用型、额定电流42 A、逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET，采用MLPAK33封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PXN012-60QLJ
- 商品编号
- C5280958
- 商品封装
- MLPAK-33-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.07克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 42A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.64nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 957pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 31pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CX3426S采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 13mΩ
- 在VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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