温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSS84
1个P沟道 耐压:50V 电流:0.13A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些微型表面贴装MOSFET可降低功率损耗，节约能源，非常适合用于小型电源管理电路。
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- BSS84
- 商品编号
- C5273792
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5Ω@10V,0.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- VDS = -20V
- RDS(ON) ≤ 70 mΩ，@VGS = -4.5V，IDS = -4.7A
- RDS(ON) ≤ 110 mΩ，@VGS = -2.5V，IDS = -1.0A
- 我们声明该产品的材料符合RoHS要求且无卤素。
- S前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。
- 人体模型静电放电（ESD）等级为0级（<100V）
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻。
相似推荐
其他推荐