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2SK3018W
1个N沟道 耐压:30V 电流:0.1A
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA
- 品牌名称
- TWGMC(迪嘉)
- 商品型号
- 2SK3018W
- 商品编号
- C5273793
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 低电压驱动,使该器件非常适合便携式设备
- 驱动电路易于设计
- 易于并联
应用领域
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
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