NSG2085

100V高速自振荡50%占空比半桥MOSFET/IGBT驱动芯片

描述

NSG2085是一款100V高速自振荡50%占空比半桥MOSFET/IGBT驱动芯片，浮地通道最高工作电压可达+100V，依托集成50%占空比振荡器与半桥驱动器实现最高500kHz的可编程开关频率，具备±50V/ns的dVs/dt耐受能力与-9V的Vs负压能力，易于简化系统设计、驱动方案简洁。器件栅极驱动电压8V至20V，输出拉/灌电流能力为+0.9A/-1.1A，可调死区时间50ns-200ns，内置过流保护、欠压锁定与软启动，符合RoHS标准，可提升系统可靠性、降低外围器件需求、提高功率密度，支持更宽输入电压范围。封装采用SOP8（4.9mm×3.9mm），适用于电机控制、空调/洗衣机、通用逆变器以及微型逆变器驱动等应用场景。

品牌名称

WXNSIC(国硅集成)

商品型号

NSG2085

商品编号

C55862207

商品封装

SOP-8​

包装方式

编带

商品毛重

0.1009克(g)