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XJNG2183

700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述
XJNG2183是一款700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片,浮地通道最高工作电压可达700V,依托自举工作的浮动通道与高低压兼容工艺实现高、低侧驱动单芯片集成,具备±50V/ns的dV/dt耐受能力与-9V的Vs负压耐受能力,兼容3.3V、5V和15V输入逻辑,易于简化系统设计、驱动方案简洁。器件栅极驱动电压10V至20V,输出拉/灌电流能力为4.0A/5.0A,内置高、低侧欠压锁定、过压钳位与400ns防直通死区保护,符合RoHS标准,可提升系统可靠性、降低外围器件需求、提高功率密度,支持更宽输入电压范围。封装采用SOP8(4.9mm×3.9mm),适用于电机控制、空调/洗衣机、通用逆变器以及微型逆变器驱动等应用场景。
商品型号
XJNG2183
商品编号
C55862209
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.1009克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)5A
拉电流(IOH)4A
工作电压10V~20V
上升时间(tr)40ns
下降时间(tf)20ns
属性参数值
传播延迟 tpLH130ns
传播延迟 tpHL130ns
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)2.5V
输入低电平(VIL)800mV
静态电流(Iq)280uA
功能特性死区时间控制;交错导通保护

数据手册PDF