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DMT6018LDR-7

2个N沟道耐压:60V 电流:8.8A

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描述: 新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DMT6018LDR-7
商品编号: C5272861
商品封装: VDFN3030-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.048克(g)

商品参数

商品概述

该器件为共源极N沟道增强型横向场效应射频功率晶体管，专为高增益、宽带商业和工业应用而设计。它可在共源模式下以28 V电压工作，频率高达1 GHz。该器件采用意法半导体（ST）最新的LDMOS技术，具备出色的增益、线性度和可靠性，采用首款真正的表面贴装（SMD）塑料射频功率封装PowerSO - 10RF。其卓越的线性度使其成为基站应用的理想选择。PowerSO - 10塑料封装专为高可靠性而设计，是意法半导体首款获得JEDEC认证的高功率表面贴装封装。它针对射频需求进行了特别优化，具备出色的射频性能且易于组装。

商品特性

出色的热稳定性
共源极配置
在945 MHz / 28 V条件下，输出功率（Pout）为45 W，增益为13 dB
新型射频塑料封装

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	8.8A
	导通电阻(RDS(on))	17mΩ@10V,8.2A
	耗散功率(Pd)	1.1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	13.9nC
	输入电容(Ciss)	869pF@30V
	反向传输电容(Crss)	15pF@30V
	工作温度	-55℃~+150℃