TSU101RICT
微功耗（580nA）轨到轨I/O 5V CMOS运算放大器
描述
纳功率（580nA）轨到轨I/O 5V CMOS运算放大器
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
TSU101RICT商品编号
C5268414商品封装
SC-70-5包装方式
编带
商品毛重
0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 运算放大器 | |
| 放大器数 | 单路 | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 5.5V | |
| 轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
| 增益带宽积(GBP) | 9kHz | |
| 输入失调电压(Vos) | 3mV | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 5uV/℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 压摆率(SR) | 0.003V/us | |
| 输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
| 噪声密度(eN) | 265nV/√Hz@100Hz | |
| 共模抑制比(CMRR) | 74dB | |
| 输出电流 | 11mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
详细信息
- 特性
规格
- 亚微安电流消耗：在 25 °C 下，每通道典型值为 580 nA，当 VCC = 1.8 V
- 低供电电压：1.5 V 至 5.5 V
- 单位增益稳定
- 轨到轨输入和输出
- 增益带宽乘积：典型值为 8 kHz
- 低输入偏置电流：在 25 °C 下最大值为 5 pA
- 高静电放电耐受性：2 kV HBM
- 温度范围：-40 °C 至 85 °C（工业级）
- 等效寿命：
- 典型值为 42 年（对于 TSU101），由 220 mAh 硬币型锂离子电池供电
- 对电源瞬态下降的耐受性
- 高阻抗传感器信号的精确调节
- 在工业温度范围内保证的应用性能
- 快速脱离饱和状态
产品规格
ST(意法半导体)_DS9507 纳米电源，轨到轨输入和输出，5V CMOS 运算放大器 3.0（英文）
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应用手册
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