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IXTH3N150-JSM
IXTH3N150
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- 描述
- 超高压MOS 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：3A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω @3A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTH3N150-JSM
- 商品编号
- C55777939
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.935556克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 83pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |