- 引脚图
- 焊盘图
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IXTH2N150-JSM
IXTH2N150
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- 描述
- 超高压MOS 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：3A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4Ω @3A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTH2N150-JSM
- 商品编号
- C55777948
- 商品封装
- TO-247S
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中