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P25D22H-TSH-IR

超低功耗2M/1M/512K位串行标准和双I/O闪存

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描述: 特性：宽电源范围：2.3至3.6V，适用于读取、擦除和编程。读取、擦除和编程时超低功耗。支持X1、X2多I/O。高可靠性，具有100K次循环和10年数据保留能力
品牌名称: PUYA(普冉)
商品型号: P25D22H-TSH-IR
商品编号: C5263823
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.088克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	8ms
	页写入时间(Tpp)	2ms
	块擦除时间(tBE)	12ms
	数据保留 - TDR(年)	10年
	工作温度	-25℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

P25D22H/12H/07H 是一款串行接口闪存器件，专为各种大批量消费类应用而设计，在这些应用中，程序代码从闪存加载到嵌入式或外部 RAM 中执行。该器件具有灵活的擦除架构和页擦除粒度，同样非常适合数据存储，无需额外的数据存储设备。该器件的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更高效地利用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须驻留在其自身的擦除区域中，因此与采用大扇区和大块擦除的闪存器件相比，可以大大减少浪费和未使用的存储空间。这种提高的存储空间效率允许在保持相同整体器件密度的同时，添加额外的代码例程和数据存储段。该器件专为多种不同系统而设计，支持在 2.3V 至 3.6V 的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作。编程和擦除无需单独的电压。

商品特性

单电源供电，电压范围 2.3V 至 3.60V
工业级温度范围 -25°C 至 85°C
兼容串行外设接口 (SPI)：模式 0 和模式 3
支持单 I/O 和双 I/O 模式
存储容量：2M/1M/512K x 1 位；1M/512K/256K x 2 位
灵活的代码和数据存储架构
统一的 256 字节页编程
统一的 256 字节页擦除
统一的 4K 字节扇区擦除
统一的 32K/64K 字节块擦除
支持全芯片擦除
通过 WP 引脚硬件控制保护扇区的锁定
每个器件具有 128 位 ID
快速的编程和擦除速度：页编程时间 2ms；页擦除时间 12ms；4K 字节扇区擦除时间 12ms；32K 字节块擦除时间 12ms；64K 字节块擦除时间 12ms
符合 JEDEC 标准的制造商和器件 ID 读取方法
超低功耗：典型深度掉电电流 0.2μA @3.0V；典型待机电流 9μA @3.0V；33MHz 下典型读取工作电流 0.8mA；典型编程或擦除工作电流 2.0mA
高可靠性：100,000 次编程/擦除周期；10 年数据保持期
行业标准绿色封装选项：8 引脚 SOP (150mil/208mil)/TSSOP/USON；提供 KGD 用于 SiP

应用领域

高容量消费类应用
程序代码存储
数据存储

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	2Mbit
	时钟频率(fc)	85MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	12uA
	擦写寿命	100000次