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P25Q40SH-TSH-IR

超低功耗4M位串行多I/O闪存存储器

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品牌名称: PUYA(普冉)
商品型号: P25Q40SH-TSH-IR
商品编号: C5263831
商品封装: TSSOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.088克(g)

商品参数

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	12ms
	页写入时间(Tpp)	3ms
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件写保护；写使能锁存；软件写保护；上电复位

商品概述

P25Q40SH是一款串行接口闪存器件，专为需要将程序代码从闪存加载到嵌入式或外部RAM中执行的大批量消费类应用而设计。该器件灵活的擦除架构及其页擦除粒度，使其同样成为数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。器件的擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求。通过优化擦除块的大小，可以更高效地利用存储空间。由于某些代码模块和数据存储段必须独立存在于各自的擦除区域中，因此可以大大减少采用大扇区和大块擦除闪存器件时产生的浪费和未使用的存储空间。这种提高的存储空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍保持相同的总体器件密度。该器件还包含额外的3×512字节带一次性可编程锁的安全寄存器，可用于诸如器件序列化、系统级电子序列号存储、锁定密钥存储等目的。该器件专为多种不同系统设计，支持在2.3V至3.6V的宽电源电压范围内进行读取、编程和擦除操作，无需单独的编程和擦除电压。

商品特性

单电源电压2.3V至3.6V
工业级温度范围-40℃至85℃
兼容串行外设接口：模式0和模式3
支持单线、双线、四线串行外设接口及四线外设接口
灵活的代码和数据存储架构
统一的256字节页编程
统一的256字节页擦除
统一的4K字节扇区擦除
统一的32K/64K字节块擦除
支持全芯片擦除
通过写保护引脚硬件控制保护扇区锁定
包含一次性可编程安全寄存器
每个器件具有128位标识符
快速的编程和擦除速度
2毫秒单/双/四页编程时间
16毫秒页擦除时间
16毫秒4K字节扇区擦除时间
16毫秒32K/64K字节块擦除时间
采用电子器件工程联合委员会标准制造商和器件标识读取方法
超低功耗
0.2微安深度掉电电流
10.0微安待机电流
在33MHz频率下2.0毫安有效读取电流
2.5毫安有效编程或擦除电流
高可靠性
10万次编程/擦除循环
20年数据保持期
行业标准绿色封装选项

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	4Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.3V~3.6V
	待机电流	-
	擦写寿命	100000次