温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN10H220LQ-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:1.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求，符合AEC-Q101标准，适用于负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H220LQ-7
- 商品编号
- C5260572
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V；250mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 401pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
FDS4435BZ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -11A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 16mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐