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DMPH4013SK3Q-13
1个P沟道 耐压:40V 电流:55A
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- 描述
- 此MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计，符合AEC-Q101标准，有PPAP支持，适用于:反极性保护。电机控制。电源管理
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMPH4013SK3Q-13
- 商品编号
- C5260573
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@40V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
AOD413A采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -25A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 44mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源