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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 17.5mΩ@4.5V,5.9A | |
| 功率 | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 450mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 28.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.31nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 210pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GC20N65Q采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 采用超高密度单元沟槽设计,实现低导通电阻RDS(on)
- 坚固可靠
- SOT-23-3L封装
- 无铅(Pb)且无卤
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器