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CJAE28SN06
1个N沟道 耐压:60V 电流:28A
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- 描述
- CJAE28SN06采用SGT技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJAE28SN06
- 商品编号
- C5253626
- 商品封装
- DFNWB-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.083nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP3P050A系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。 TO - 252封装在所有采用红外回流技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受欢迎，并且由于其连接电阻低，适用于大电流应用。
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-电池和负载开关
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