GD5F4GQ6UEYIGR
4G bit ,页面大小为 2K+128B,E 版本
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- SPI(串行外设接口)NAND闪存基于行业标准的NAND闪存存储内核,为嵌入式系统提供了一种极具成本效益且高密度的非易失性存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的理想替代方案,具备以下先进特性:引脚总数为8个,包括VCC和GND。
- 品牌名称
- GigaDevice(兆易创新)
- 商品型号
- GD5F4GQ6UEYIGR
- 商品编号
- C5253627
- 商品封装
- USON-8-EP(6x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.223克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | SPI | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 300us | |
| 块擦除时间(tBE) | 3ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 50uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 |
其他推荐
- GD5F2GQ5UEYIGY
- GD25VQ80CSIGR
- GD25Q16EQIGR
- GD25Q127CS2GR
- CK100UF35V167RV0140
- SI5347B-D-GMR
- GB812 M22-1.5 304 B
- GB812 M65-2 304 B
- 66-03-B1B1-B009
- 66-04-B1B1-B009
- 66-05-B1B1-B009
- 66-06-B1B1-B009
- 66-07-B1B1-B009
- 66-08-B1B1-B009
- 66-09-B1B1-B009
- 66-10-B1B1-B009
- 66-11-B1B1-B009
- 66-12-B1B1-B009
- 66-13-B1B1-B009
- 66-14-B1B1-B009
- 66-15-B1B1-B009
